如今各种设备对于 NAND 闪存的容量要求越来越高，迫使厂商们不得不持续改进技术，尤其是强化 3D 堆叠设计。SK 海力士就计划在今年量产 72 层堆叠闪存。2015 年，SK 海力士量产了第二代 36 层堆叠 3D MLC NAND ( 3D-V2 ) ，单晶粒容量 128Gb ( 16GB ) 。2016 年，SK 海力士推出了第三代 48 层堆叠的 3D-V3，闪存类型改成 TLC，重点单晶粒容量 256Gb ( 32GB ) ，而封装芯片的容量最高可以达到 4096Gb ( 512GB ) 。

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2017 年，我们将看到 SK 海力士的第四代 3D-V4，惊人的 72 层堆叠，还是 TLC，其中第二季度量产的单晶粒容量仍为 256Gb，而第四季度翻番到 512Gb ( 64GB ) ，这样封装闪存芯片的最高容量将达到 8192Gb ( 1TB ) 。

更重要的是，这一代闪存的区块尺寸将从 9MB 增大到 13.5MB，有助于提升性能。

这意味着，其实只需要两颗芯片，就能造出 2TB 容量的单面 M.2 SSD，而且成本更低，另一方面 120/128GB 等低容量产品可能会被基本放弃。